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EPC divise par deux la résistance à l'état passant de ses Fet en GaN

Rédigé par  mercredi, 09 juillet 2014 08:33
EPC divise par deux la résistance à l'état passant de ses Fet en GaN

Au nombre de six, les Fet de puissance eGaN de nouvelle génération de l'américain sont proposés dans la gamme 30V à 200V.

Efficient Power Conversion (EPC), le spécialiste des Fet en nitrure de gallium, introduit six transistors de puissance de nouvelle génération, ainsi que les cartes de développement associées. La série, qui couvre la gamme 30V à 200V, offre une réduction significative de la résistance à l'état passant RDS(on) par rapport aux produits eGaN antérieurs.

Dans le détail, les six modèles sont référencés EPC2023 (30V), EPC2024 (40V), EPC2020 (60V), EPC2021 (80V), EPC2022 (100V) et EPC2019 (200V). A une tension grille-source de 5V, la résistance statique s'échelonne entre 1,3 et 43 mOhms.

Ces Fet ciblent les convertisseurs DC-DC et de point de charge (POL), le redressement synchrone dans les étages de conversion DC-DC ou AC-DC, la commande de moteur et l'automatisation industrielle.

Par quantité de 1000 pièces, le prix unitaire des EPC2019-24 démarre à 3,14$. Les cartes de développement sont quant à elles proposées à partir de104,4$.

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