Vishay améliore la densité de puissance de ses Mosfet 30V

Le 10/04/2017 à 7:27 par Philippe Dumoulin

Proposé dans un boîtier dLe 2x2mm, le SiA468DJ affiche une résistance à l’état passant de 8,4mOhms, pour un courant de drain de 37,8A.

Vishay Intertechnology introduit un Mosfet canal N de 30V, nouveau membre de sa famille TrenchFET Gen IV. Conjuguant un petit boîtier et une faible résistance à l’état passant, le nouveau venu cible les produits mobiles, l’électronique grand public et les alimentations. Référencé SiA468DJ, ce transistor est proposé dans un boîtier de type PowerPAK SC-70, dont les dimensions sont de 2x2mm seulement. Ce qui, dans sa catégorie, en ferait le plus compact du marché pour les applications de conversion DC-DC et de commutation de charge.

Le SiA468DJ est crédité d’une résistance à l’état passant de 8,4 mOhms à 10V/37,8A et de 11,4 mOhms à 4,5V/32,5A. Par rapport aux produits de précédente génération de la société, cela représente un gain de 51%.

 

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