Les derniers Mosfet U-MOS-IX-H de la société offrent de faibles valeurs de résistance à l’état passant, soit de 3,1 à 6,7mOhms.
Toshiba Electronics Europe introduit des Mosfet de puissance de 40V et 60V exploitant le dernier procédé en tranchée U-MOS-IX-H du japonais. Il est ici question de Mosfet canal N en boîtier DPAK, pouvant être pilotés à partir de niveaux logiques de 4,5V. Crédités de faibles valeurs de résistance à l’état passant, ces transistors sont destinés aux applications de conversion d’énergie, notamment aux convertisseurs AC-DC et DC-DC et aux alimentations, et de commande de moteur.
Dans le détail, ces Mosfet sont référencés TK3R1P04PL, TK4R4P06PL et TK6R7P06PL. Le premier est un modèle de 40V, dont la résistance à l’état passant est de 3,1mΩ max. et le courant de drain de 58A à 25°C. Les autres sont des versions de 60V, affichant des RDS(ON) de 4,4 et 6,7mΩ, pour des courants de drain de 58A et 46A, respectivement.
