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Renesas lance des transistors Fet en GaN dans l'espace

Rédigé par  lundi, 19 mars 2018 15:02
Renesas lance des transistors Fet en GaN dans l'espace

Le japonais produit des transistors de puissance et un circuit de commande GaN durcis aux radiations.

Renesas a lancé la production d'une famille de transistors de puissance Fet en nitrure de gallium (GaN) durcis aux radiations, une première dans l'industrie selon lui. Destinés à la conversion DC/DC dans des fusées et satellites, les ISL7023SEH (100V, 60A) et ISL70024SEH (200V, 7,5A) supportent des radiations de 75 à 100krad(Si) et sont fabriqués selon la norme MIL-PRF-38535 classe V. Renesas les accompagne de l'ISL70040SEH, un circuit de commande fonctionnant sous 4,5V à 13,2V lui aussi durci. Ce dernier est encapsulé dans un boîtier SMD mesurant 6x6mm, contre 9x4,7mm pour les transistors Fet. 

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