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Microsemi diminue l'inductance parasite de ses modules Mosfet en SiC

Rédigé par  vendredi, 08 juin 2018 10:40
Microsemi diminue l'inductance parasite de ses modules Mosfet en SiC

L'américain annonce une série de cinq modules Mosfet en SiC dans un boîtier SP6LI, dont l'inductance parasite est de 2,9nH seulement.

Microsemi échantillonne une série de modules Mosfet en carbure de silicium dans un nouveau boîtier baptisé SP6LI à très faibles inductances parasites. Celles-ci sont en effet de 2,9nH seulement. La série de modules en configuration bras de pont est forte de 5 éléments dont la tenue en tension est de 1200V (les MSCMC120AM07/04/03/02CT6LIAG) ou 1700V (le MSCMC170AM08CT6LIAG). Dans le premier cas, l'intensité du courant va de 210A à 586A, pour une température de boîtier de 80°C. Dans le second cas, l'intensité est de 207A, dans les mêmes conditions de température. La résistance à l'état passant est très basse : soit 2,1mOhms par commutateur.

En standard, la semelle est en cuivre. Celle-ci peut être remplacée par une semelle en AlSiC pour une meilleure tenue lors des cycles thermiques. Ces modules "tout SiC" (Mosfet et diodes Schottky) avec thermistance intégrée ciblent les alimentations à découpage et la commande de moteur dans une grande variété d'applications médicales, industrielles, automobiles, aéronautiques...

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