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Mémoire flash eUFS : Samsung passe la barre du To

Rédigé par  lundi, 04 février 2019 09:26
Mémoire flash eUFS : Samsung passe la barre du To

Le sud-coréen initie la production d'un module de mémoire flash eUFS 2.1 de 1 To pour smartphones haut de gamme.

Samsung a démarré la production en volume d'une mémoire flash eUFS 2.1 de 1To, une première dans l'industrie selon le sud-coréen. Ce module comprend 16 puces de flash V-Nand de 512Gbits chacune, orchestrées par un tout nouveau contrôleur. Il permet de stocker plus de quarante heures de vidéo 4K dans un boîtier mesurant seulement 11,5x13mm. Il offre en outre un débit de données de 1000Mo/s (lecture) et 260Mo/s (écriture) en mode séquentiel, et de plus de 50.000 IOPS en lecture et écriture aléatoire. 

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