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ISSCC 2019 - Qualcomm combine les régulations de tension et de fréquence

Rédigé par  jeudi, 21 février 2019 16:52
ISSCC 2019 - Qualcomm combine les régulations de tension et de fréquence

L'américain présente un prototype de circuit FinFET 7 nm assurant à la fois la régulation de tension et de fréquence d'un processeur, sans inductance externe. 

San Francisco - Qualcomm a présenté à ISSCC un circuit test assurant à la fois la régulation de tension et de fréquence pour un circuit numérique complexe (microprocesseur, FPGA…), plutôt que d’utiliser deux boucles de contrôle distinctes pour ces deux fonctions. Ce choix compacte le tout et permet de corréler l’ajustement de la tension et de la fréquence.

Qualcomm a pour cela recours à un convertisseur abaisseur à deux phases embarquant les inductances nécessaires. La puce test, gravée en technologie FinFET 7nm, assure la régulation d’une entrée comprise entre 1,1V et 1,3V vers une sortie programmable entre 0,45V et 0,9V, sans inductance externe et avec un temps d’établissement de seulement 60ns. La fréquence de sortie varie, elle, de 1GHz à 3GHz par incrément de 500MHz.

Le rendement est ici limité à 64% car la taille réduite du prototype ne permet pas d’intégrer une inductance d’une valeur supérieure à 1,6nH ; mais Qualcomm assure, simulations à l’appui, que la grosse puce d’un processeur permet typiquement d’embarquer une inductance de 14nH et d’atteindre alors un rendement de 90%.

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