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Une carte de Cissoid optimise la commande des modules de puissance à base de Mosfet SiC

Rédigé par  mercredi, 22 mai 2019 08:52
Une carte de Cissoid optimise la commande des modules de puissance à base de Mosfet SiC

Cette carte, convenant aux modules de puissance de 1200V/1700V, fait appel à un chipset Hades de la société pour la commande de grille des Mosfet.

Cissoid a développé une carte destinée à la commande des modules de puissance en topologie demi-pont, de largeur 62mm standard, réalisés à partir de Mosfet en carbure de silicium. Basée sur un chipset de la famille Hades de la société, ladite carte, bien qu'optimisée pour les modules Mosfet SiC, est aussi en mesure de piloter les modules de puissance à base d'IGBT. Et ce tout en offrant une marge thermique pour la conception de convertisseurs de puissance à forte densité dans les applications automobiles et industrielles. La carte autorise la commutation haute fréquence (au-delà de 100kHz) des Mosfet SiC, avec une immunité aux dv/dt supérieure à 50kV/µs. Il en résulte un excellent rendement et une baisse du poids et du volume des convertisseurs de puissance.


Cette carte, qui accepte des modules de 1200V (CMT-TIT8243A) ou de 1700V (CMT-TIT8244A), est conçue fonctionner dans des environnements difficiles. Elle offre une isolation à hauteur de 3600VAC (à 50Hz et pendant 60s) et des distances d'isolement de 12mm (distance d'isolement dans l'air) et 14mm (longueur de la ligne de fuite). Des fonctions de protection sont également de mise : le verrouillage en cas de sous-tension (UVLO), le clamping Miller actif et la détection de la désaturation.
 

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