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Le CSEM et MIFS proposent un process numérique 55 nm 0,5 V

Rédigé par  lundi, 24 juin 2019 06:32
Le CSEM et MIFS proposent un process numérique  55 nm 0,5 V

Le centre de R&D suisse et le fondeur japonais ont développé une technologie de fabrication de circuits intégrés à très faible consommation fonctionnant sous 0,5 V seulement. 

Le centre suisse de R&D en microélectronique CSEM et le fondeur Mie Fujitsu Semiconductor (MIFS) ont développé un écosystème de conception de circuits numériques et mixtes near threashold 0,5V à très faible consommation. Fonctionnant en-deça de la tension de basculement classique des transistors, cette technologie dite C55DDC (Cmos, 55 nm, deeply depleted channel) a permis de réaliser un microcontrôleur Risc 32 bits ne consommant que 2,5µW/MHz, un record dans l'industrie selon le CSEM. En particulier, le CSEM et MIFS ont mis en oeuvre des techniques d'adaptation dynamique et adaptative de la fréquence pour palier les variations de comportement (process, température, polarisation...) fréquentes sous des tensions aussi faibles. La technologie est disponible, y compris un PDK (process design kit) complet avec bibliothèques de composants et blocs analogiques essentiels. 

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