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UnitedSiC élargit son offre de Jet 650V en carbure de silicium

Rédigé par  mardi, 27 août 2019 09:44
UnitedSiC élargit son offre de Jet 650V en carbure de silicium

L'américain ajoute deux références à sa famille UF3C Fast. Le boîtier TO220-3L à trois broches présente des caractéristiques thermiques améliorées.

UnitedSiC, le spécialiste américain des transistors de puissance à base de carbure de silicium, ajoute deux références à sa famille UF3C Fast de Fet 650V. Les nouveaux venus affichent de faibles valeurs de résistance à l'état passant, soit 27 mOhms (typ.) pour le modèle UF3C065030T3S et 80 mOhms (typ.) pour le modèle UF3C065080T3S. Le boîtier TO220-3L à trois broches au standard de l'industrie ici adopté présente des caractéristiques thermiques améliorées. Et ce grâce à une technologie à base d'argent fritté développée par la société.

Ces Fet SiC en configuration cascode (Jfet en SiC associé à un Mosfet en silicium afin de réaliser un interrupteur ayant un comportement normalement ouvert) s'adressent aux concepteurs recherchant des performances améliorées dans le cadre d'applications en rapport avec les systèmes de charge des véhicules électriques, les onduleurs phtovoltaïques, les alimentations à découpage, la correction du facteur de puissance, l'entraînement moteur et le chauffage par induction.

La gamme UF3C Fast de la société comprend à ce jour 14 références en boîtiers TO247-3L, TO247-4L, TO220-3L et D2PAK-3L, pour des tenues en tension de 650V (10 produits) et 1200V (4 produits).

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