La société introduit de nouveaux Mosfet CoolSiC de 650 V dans des boîtiers TO-247 à 3 ou 4 broches.

SiCrystal, une filiale de Rohm, s’engage à fournir à STMicroelectronics des plaquettes de carbure de silicium pour un montant de quelque 120 millions de dollars.

Le driver MAX22701E est notamment caractérisé par une immunité vis-à-vis des transitoires de mode commun de 300 kV/µs. Une valeur jusqu’à trois supérieure à celle affichée par les produits concurrents.

STMicroelectronics renforce son écosystème SiC, de l’expertise des matériaux et de l’ingénierie des processus à la conception et à la fabrication de diodes et de Mosfet SiC.

La semaine dernière a été marquée par plusieurs annonces liées au carbure de silicium qui laissent croire que cette technologie aura un grand avenir, notamment dans le domaine de l'électronique de puissance. Cree double la valeur de son contrat avec STMicroelectronics pour la fourniture de tranches SiC, Soitec et Applied Materials coopèrent au développement de substrats en carbure de silicium, et Cree et ABB annoncent un partenariat dans le domaine du carbure de silicium pour l'automobile et l'industrie.

Sur le plan conjoncturel, nous retiendrons que le recul du marché de la distribution européenne de semi-conducteurs industriels (hors composants pour PC) s’est accentué au 3è trimestre. DMASS (Distributors and Manufacturers Association of Semiconductor Specialists) annonce ainsi qu’au 3è trimestre 2019, ce marché a chuté de 8,9% par rapport au 3è trimestre 2018 à 2,11 milliards d’euros. Au cours des 9 premiers mois de 2019, il a reculé de 0,5% par rapport à la même période de 2018, à 6,93 milliards d’euros.

Dans l'actualité de la semaine écoulée, retenons également que Faurecia et Michelin investissent 140 M€ dans leur co-entreprise dédiée à la mobilité hydrogène, que Panasonic annonce la fin de la production de dalles LCD en 2021 en raison d'une trop forte concurrence sur ce marché et que la France est désormais le n°2 européen à travers les start-up technologiques impliquées dans l’IA.

Proposée sous la forme d’une puce nue ou encapsulée dans un boîtier TO-247, la diode Schottky KE17DJ25 du français est un modèle de 1700 V/25 A.

Avec cette augmentation de l’approvisionnement en tranches de carbure de silicium, les deux sociétés pourront faire face à la croissance rapide de la demande mondiale de composants de puissance en SiC, notamment pour les applications automobiles et industrielles.

Soitec apporte sa technologie Smart Cut et Applied Materials son expertise en équipements de production et en procédés de fabrication.

La carte d’évaluation EVAL-M5-E1B1245N-SiC d’Infineon a pour vocation d’accompagner les clients dans leurs premières étapes de conception d'applications de commande des moteurs industriels d'une puissance maximale de 7,5 kW.

Les derniers Mosfet SiC de 650V et 1200V du japonais sont proposés dans un boîtier TO-247-4L à 4 broches. Par rapport à un TO-247N à 3 broches, une réduction jusqu'à 35% des pertes de commutation est envisageable.