
STMicroelectronics finalise l’acquisition du suédois Norstel, fabricant de tranches en carbure de silicium
STMicroelectronics renforce son écosystème SiC, de l’expertise des matériaux et de l’ingénierie des processus à la conception et à la fabrication de diodes et de Mosfet SiC.
L'essentiel de l'actualité du 18 au 24 novembre 2019
La semaine dernière a été marquée par plusieurs annonces liées au carbure de silicium qui laissent croire que cette technologie aura un grand avenir, notamment dans le domaine de l'électronique de puissance. Cree double la valeur de son contrat avec STMicroelectronics pour la fourniture de tranches SiC, Soitec et Applied Materials coopèrent au développement de substrats en carbure de silicium, et Cree et ABB annoncent un partenariat dans le domaine du carbure de silicium pour l'automobile et l'industrie.
Sur le plan conjoncturel, nous retiendrons que le recul du marché de la distribution européenne de semi-conducteurs industriels (hors composants pour PC) s’est accentué au 3è trimestre. DMASS (Distributors and Manufacturers Association of Semiconductor Specialists) annonce ainsi qu’au 3è trimestre 2019, ce marché a chuté de 8,9% par rapport au 3è trimestre 2018 à 2,11 milliards d’euros. Au cours des 9 premiers mois de 2019, il a reculé de 0,5% par rapport à la même période de 2018, à 6,93 milliards d’euros.
Dans l'actualité de la semaine écoulée, retenons également que Faurecia et Michelin investissent 140 M€ dans leur co-entreprise dédiée à la mobilité hydrogène, que Panasonic annonce la fin de la production de dalles LCD en 2021 en raison d'une trop forte concurrence sur ce marché et que la France est désormais le n°2 européen à travers les start-up technologiques impliquées dans l’IA.
Caly Technologies complète son catalogue de diodes Schottky en carbure de silicium
Proposée sous la forme d’une puce nue ou encapsulée dans un boîtier TO-247, la diode Schottky KE17DJ25 du français est un modèle de 1700 V/25 A.
Cree double la valeur de son contrat avec STMicroelectronics pour la fourniture de tranches SiC
Avec cette augmentation de l’approvisionnement en tranches de carbure de silicium, les deux sociétés pourront faire face à la croissance rapide de la demande mondiale de composants de puissance en SiC, notamment pour les applications automobiles et industrielles.
Soitec et Applied Materials coopèrent au développement de substrats en carbure de silicium
Soitec apporte sa technologie Smart Cut et Applied Materials son expertise en équipements de production et en procédés de fabrication.
Une carte d’évaluation à base de Mosfet en SiC pour les entraînements moteur
La carte d’évaluation EVAL-M5-E1B1245N-SiC d’Infineon a pour vocation d’accompagner les clients dans leurs premières étapes de conception d'applications de commande des moteurs industriels d'une puissance maximale de 7,5 kW.
Les Mosfet SiC de Rohm adoptent un nouveau boîtier
Les derniers Mosfet SiC de 650V et 1200V du japonais sont proposés dans un boîtier TO-247-4L à 4 broches. Par rapport à un TO-247N à 3 broches, une réduction jusqu'à 35% des pertes de commutation est envisageable.
DuPont Electronics & Imaging cède son activité en carbure de silicium à SK Siltron
SK Siltron est un fournisseur coréen de tranches de silicium.
ST fournira à Renault-Nissan-Mitsubishi des composants SiC pour ses chargeurs de batterie pour véhicules électriques
Le carbure de silicium (SiC) offre des perspectives prometteuses pour les applications de mobilité intelligente et durable. Le haut rendement énergétique, les performances thermiques, la fiabilité et les dimensions réduites des composants en SiC contribueront à rendre les véhicules électriques encore plus attractifs, estime ST.
UnitedSiC élargit son offre de Jet 650V en carbure de silicium
L'américain ajoute deux références à sa famille UF3C Fast. Le boîtier TO220-3L à trois broches présente des caractéristiques thermiques améliorées.