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Le carbure de silicium (SiC) offre des perspectives prometteuses pour les applications de mobilité intelligente et durable. Le haut rendement énergétique, les performances thermiques, la fiabilité et les dimensions réduites des composants en SiC contribueront à rendre les véhicules électriques encore plus attractifs, estime ST.

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L'américain ajoute deux références à sa famille UF3C Fast. Le boîtier TO220-3L à trois broches présente des caractéristiques thermiques améliorées.

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Le modèle UF3C120150K4S de 1200V est crédité d'une résistance à l'état passant de 150 mOhms, en valeur typique.

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Au nombre de sept, ces transistors des séries UJ3C et UF3C sont proposés dans des boîtiers D2PAK-3L et TO220-3L.

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Cette carte, convenant aux modules de puissance de 1200V/1700V, fait appel à un chipset Hades de la société pour la commande de grille des Mosfet.

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L'allemand propose désormais des diodes Schottky CoolSiC 1200V de cinquième génération en boîtier TO-247-2, offrant une distance d'isolement de 8,7mm.

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Pour ce faire, l'américain compte investir jusqu'à 1 milliard de dollars dans la filière SiC sur une période de cinq ans.

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La société annonce la mise en production de 35 Mosfet 700V et diodes Schottky 700V/1200V en carbure de silicium.

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Proposés sous la forme de puces nues de dimensions réduites, ces transistors en carbure de silicium seront encapsulés dans le même boîtier que le circuit contrôleur et le Mosfet silicium basse tension requis par la structure cascode.

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La série SCT3xxxxxxxHR de dix Mosfet en carbure de silicium qualifiés AEC-Q101 est destinée aux convertisseurs DC-DC et aux chargeurs embarqués dans les véhicules électriques.

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22 janvier 2020
21 janvier 2020
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17 janvier 2020
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