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Dans une configuration bras de pont, ces modules hybrides de 1200V incluent des IGBT accouplés à des diodes Schottky en carbure de silicium.

Publié dans Energie

L'américain introduit la série CPW5 composée de quatre modèles de 650 V à 1700 V, supportant un courant direct de 30 A ou 50 A.

Publié dans Semi-conducteurs

Réalisé en GaN sur SiC, le MAGX-000025-150000 est typiquement conçu pour les applications de puissance en mode pulsé jusqu'à 2,5 GHz.

Publié dans Rf/Hyper

Cissoid annonce sa seconde génération de drivers haute tension pour la commande de commutateurs de puissance en silicium ou en carbure de silicium. La température de fonctionnement est ici de 225°C.

Publié dans Semi-conducteurs

La société introduit trois modèles de 650 V, correspondant à des calibres en courant de 6 A, 8 A et 10 A.

Publié dans Semi-conducteurs

Au nombre de quatre, les diodes 650 V en SiC de l'américain sont essentiellement destinées aux applications industrielles de forte puissance.

Publié dans Semi-conducteurs
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15 juillet 2020
10 juillet 2020
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5 juillet 2020

Composants
Barrette de diode laser pulsée de haute puissance Adaptées pour des conditions d’utilisation critiques grâce à leur dissipation thermique et une [...]
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