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Proposée sous la forme d’une puce nue ou encapsulée dans un boîtier TO-247, la diode Schottky KE17DJ25 du français est un modèle de 1700 V/25 A.

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L'allemand propose désormais des diodes Schottky CoolSiC 1200V de cinquième génération en boîtier TO-247-2, offrant une distance d'isolement de 8,7mm.

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La société annonce la mise en production de 35 Mosfet 700V et diodes Schottky 700V/1200V en carbure de silicium.

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Les diodes haute tension C5D de l'américain sont destinées aux systèmes de charge des véhicules électriques, aux alimentations à découpage, aux onduleurs solaires et éoliens.

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La société complète ainsi son portefeuille de produits SiC, qui comprend déjà des diodes Schottky de 1200V et des Mosfet.

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Par rapport au boîtier USC traditionnel, une nouvelle conception a permis de réduire la résistance thermique pratiquement de moitié. Le courant inverse a été également abaissé.

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L'américain annonce de nouvelles diodes Schottky de 650V et 1200V en carbure de silicium, qualifiées AEC-Q101 pour l'environnement automobile.

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Il est ici question de diodes Schottky "CoolSiC" de cinquième génération améliorées, et ce afin de répondre aux exigences de fiabilité caractérisant le monde de l'industrie automobile.

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Normal 0 21 false false false EN-US ZH-CN X-NONE

/* Style Definitions */ table.MsoNormalTable {mso-style-name:"Tableau Normal"; mso-tstyle-rowband-size:0; mso-tstyle-colband-size:0; mso-style-noshow:yes; mso-style-priority:99; mso-style-parent:""; mso-padding-alt:0cm 5.4pt 0cm 5.4pt; mso-para-margin-top:0cm; mso-para-margin-right:0cm; mso-para-margin-bottom:8.0pt; mso-para-margin-left:0cm; line-height:107%; mso-pagination:widow-orphan; font-size:10.0pt; font-family:"Times New Roman",serif;}

L’américain lance une série de diodes Schottky SiC de 650V couvrant la plage 6A à 50A. Les versions sont proposées en boîtiers CMS ou à broches traversantes.

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Le remplacement des diodes bipolaires classiques par les dernières diodes Schottky SiC GEN2 de la société a pour effet de diminuer drastiquement les pertes en régime de commutation.

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