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L'américain ajoute deux références à sa famille UF3C Fast. Le boîtier TO220-3L à trois broches présente des caractéristiques thermiques améliorées.

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Au nombre de sept, ces transistors des séries UJ3C et UF3C sont proposés dans des boîtiers D2PAK-3L et TO220-3L.

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La famille UF3C Fast de l'américain s'enrichit de cinq modèles de 650V et 1200V dont le boîtier TO-247 est doté d'une quatrième broche faisant office de connexion Kelvin au niveau de la source.

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L'américain introduit pas moins de 19 références 60V à faible RDS(on) conçues pour les applications industrielles.

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Au nombre de six, les Fet de puissance eGaN de nouvelle génération de l'américain sont proposés dans la gamme 30V à 200V.

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EPC a développé une famille de transistors eGaN, conjuguant une faible charge de grille et une résistance à l'état passant très basse. Dernier en date, le modèle de 150 V/12 A estampillé EPC2018 est crédité d'une RDS(on) n'excédant pas 25 mOhms (18 mOhms en valeur typique), pour une tension grille-source de 5 V et un courant de drain de 6 A. La charge totale de grille est quant à elle de 5 nC et 7,5 nC, en valeurs typique et maximale, respectivement. L'absence de charge de recouvrement inverse a pour effet de limiter les pertes en régime de commutation.

Présenté sous la forme d'une puce passivée de faibles dimensions (3,6x1,6 mm), l'EPC2018 cible notamment les alimentations à DC-DC à découpage, les convertisseurs de proximité et les amplificateurs audio en classe D.

Par ailleurs, les Fet haute fréquence en nitrure de gallium de la série EPC8000 affichent en effet des temps de commutation inférieurs à la nanoseconde, autorisant leur usage dans les architectures de conversion DC-DC fonctionnant à des fréquences au-delà de 10 MHz. De surcroît, en mode petit signal, ces transistors conservent un gain suffisant (plus de 21 dB à 1 GHz pour la référence EPC8002) pour intéresser les concepteurs spécialisés dans la RF.

A découvrir dans le numéro d'octobre de notre magazine "ElectroniqueS".

Publié dans Composants
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