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Renesas a initié la production d'un contrôleur PWM et d'un pilote de transistor FET GaN en boîtiers plastiques et durcis aux radiations, à destination des satellites en orbite basse.

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La jeune pousse grenobloise a créé une filiale et ouvert un centre en charge des ventes et des applications à Taipei afin d'accélérer l'adoption de sa technologie GaN sur silicium dans les secteurs en pleine croissance des chargeurs et des serveurs.

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  L’accord signé entre les deux entreprises permettra à ST de fabriquer des circuits RF en GaN/Si pour le compte de Macom. Mais le franco-italien aura aussi la possibilité de développer et commercialiser ses propres produits à destination de marchés ciblés.
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Les deux derniers Fet à enrichissement de 100V et 200V du califonien sont proposés sous la forme de puces passivées de faibles dimensions.

Publié dans Semi-conducteurs

Le PE15A5033F, avec ventilateur et radiateur, de Pasternack, fait appel à une technologie GaN pour des performances large bande améliorées.

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Avec le DA8801, la société a dévoilé un circuit de commutation de puissance faisant appel à une technologie GaN, typiquement destiné aux chargeurs rapides pour smartphones et ordinateurs portables.

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Un tel investissement va lui permettre de construire la première ligne de production européenne de circuits GaN sur des tranches de diamètre six pouces. Située à Limeil-Brévannes, cette unité sera opérationnelle à la mi-2017.

Publié dans Vie des entreprises

Au nombre de dix, les transistors de puissance RF de la famille CLF1 couvrent la plage 10W à 200W.

Publié dans Rf/Hyper

L'ensemble de ces amplificateurs connectorisés couvre la bande de fréquence 30MHz-7,5GHz, alors que la puissance fournie en régime saturé est comprise entre 10W et 100W.

Publié dans Rf/Hyper

Le commutateur de puissance 650V/50A de l’israélien VisIC Technologies est crédité d’une résistance à l’état passant de 12mOhms seulement.

Publié dans Semi-conducteurs
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