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Conçu pour les applications industrielles, ce Mosfet à forte tension de claquage affiche des pertes de conduction bien inférieures à celles de ses homologues en silicium.

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Le Mosfet canal N en boîtier céramique de TT Electronics supporte une température maximale de jonction de +225°C.

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Proposé dans un petit boîtier LGA de 1,53x0,77mm, le dernier FemtoFET de Texas Instruments affiche par ailleurs une résistance à l'état passant de 54mOhms seulement.

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Par rapport à la génération précédente, les Mosfet DTMOS V en tranchée profonde de la société afficheront une résistance à l'état passant réduite et un niveau de bruit de commutation plus bas.

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Qualifié AEC-Q101, le TK1R4S04PB en boîtier DPAK+ est crédité d'une résistance à l'état passant inférieure à 1,35 mOhm à 10V.

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Le dernier module du japonais, avec Mosfet et diodes Schottky en SiC, est un modèle de 1200V/300A destiné aux applications de forte puissance.

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Nouveau membre de la famille TrenchFET, le Si8824EDB est un modèle de 20V est encapsulé dans un minuscule boîtier de 0,8m mde côté.

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L’américain Cree compète son catalogue de Mosfet de puissance en carbure de silicium avec un composant affichant une tension de blocage de 900V.

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Toshiba inaugure une variante du boîtier TO-247 dotée d'une broche additionnelle qui réduit les pertes en découpage des transistors MosFet rapides.

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Proposés en boîtiers SOT-23 et DFN de 2x2mm, les derniers drivers de l’américain sont des modèles rapides de 0,5A ou 1,5A.

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18 octobre 2019
17 octobre 2019
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15 octobre 2019
14 octobre 2019

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