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La société introduit 11 Mosfet de 500V exploitant sa technologie à superjonction de seconde génération.

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mardi, 20 janvier 2015 17:30

Des Mosfet au format miniature

Les derniers Mosfet de 20V et 30V de l’américain Diodes sont encapsulés dans des boîtiers dont les dimensions sont de 0,6x0,6mm seulement.

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Dans un format compact, ces modules combinent pilotes de grille, diodes, dispositifs de protection et composants de puissance (IGBT ou Mosfet).

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Pour minimiser les pertes en conduction, ces Mosfet de 20V ou 30V sont crédités d’une très faible résistance à l’état passant.

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Au nombre de 22, les Mosfet MDmesh M2 affichent une tenue en tension de 650V et couvrent la gamme 4A à 11A.

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Cette série de Mosfet à faible résistance à l'état passant couvre la plage 42 à 195A (courant de drain à 25°C).

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Le boîtier miniature DSOP Advance dont bénéficieront certains Mosfet de la société permettra de gagner de la place sur la carte et d'améliorer la dissipation thermique.

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Malgré leurs faibles dimensions de 10x3,8x2,1mm, les TLP5701/2 de Toshiba offrent une isolation minimale de 5000Veff.

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Grâce au cloud, le "Web Simulator" de Toshiba permet aux différentes équipes de conception de partager données et projets, quelle que soit leur localisation géographique.

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Les TLP5751/2/4 de Toshiba sont présentés dans des boîtiers SO6L dont l'épaisseur est de 54% inférieure à celle des modèles DIP8 traditionnels.

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