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Nouveau membre de la famille TrenchFET, le Si8824EDB est un modèle de 20V est encapsulé dans un minuscule boîtier de 0,8m mde côté.

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L’américain Cree compète son catalogue de Mosfet de puissance en carbure de silicium avec un composant affichant une tension de blocage de 900V.

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Toshiba inaugure une variante du boîtier TO-247 dotée d'une broche additionnelle qui réduit les pertes en découpage des transistors MosFet rapides.

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Proposés en boîtiers SOT-23 et DFN de 2x2mm, les derniers drivers de l’américain sont des modèles rapides de 0,5A ou 1,5A.

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La société introduit 11 Mosfet de 500V exploitant sa technologie à superjonction de seconde génération.

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mardi, 20 janvier 2015 17:30

Des Mosfet au format miniature

Les derniers Mosfet de 20V et 30V de l’américain Diodes sont encapsulés dans des boîtiers dont les dimensions sont de 0,6x0,6mm seulement.

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Dans un format compact, ces modules combinent pilotes de grille, diodes, dispositifs de protection et composants de puissance (IGBT ou Mosfet).

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Pour minimiser les pertes en conduction, ces Mosfet de 20V ou 30V sont crédités d’une très faible résistance à l’état passant.

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Au nombre de 22, les Mosfet MDmesh M2 affichent une tenue en tension de 650V et couvrent la gamme 4A à 11A.

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Cette série de Mosfet à faible résistance à l'état passant couvre la plage 42 à 195A (courant de drain à 25°C).

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3 juin 2020
2 juin 2020
29 mai 2020
28 mai 2020
27 mai 2020
26 mai 2020
25 mai 2020

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