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Si en 2013 Infineon a confirmé sa position de leader sur le marché des semi-conducteurs de puissance, c'est surtout sur le créneau des Mosfet que l'allemand a progressé, estime IHS.

Publié dans Conjoncture

Les transistors, canal N ou canal P, de la série XTR2N0x de X-REL Semiconductor fonctionnent entre -60°C et +230°C.

Publié dans Semi-conducteurs

La génération U-Mos IX-H abaisse la résistance drain-source à l'état passant et la charge de grille des Mosfet 40 V.

Publié dans Semi-conducteurs

Conçus pour les applications industrielles, les derniers Mosfet 60V de la société offrent une ultra-faible résistance à l'état passant.

Publié dans Semi-conducteurs

Fournissant deux sorties pour alimenter les côtés haut et bas d'une circuiterie de commande de Mosfet/IGBT, les modules de la série MGJ2 de Murata offrent une isolation renforcée de 5,2kVdc.

Publié dans Energie

L'américain introduit six nouveaux Mosfet en versions 20V, 25V ou 30V, en boîtiers PQFN ou DirectFET à refroidissement par la face supérieure.

Publié dans Semi-conducteurs

Au nombre de quatorze, les NexFET de l'américain couvrent la plage 40V à 100V. Les applications de commande moteur à fort courant sont essentiellement visées.

Publié dans Semi-conducteurs

Encapsulés dans un boîtier de 0,6x0,6x0,36 mm, les Mosfet annoncés par la société sont typiquement conçus pour les produits mobiles et portables, affichant de fortes contraintes d'encombrement.

Publié dans Semi-conducteurs

Ces Mosfet de puissance de moyenne tension (100 V) pour le milieu automobile, proposés en boîtiers PowerPAK SO-8L ou DPAK, offrent des résistances à l'état passant très basses.

Publié dans Semi-conducteurs

Proposés dans des petits boîtiers de 3 mm de côté, les FDMC86xxxP permettent de réduire la dissipation de puisance jusqu'à hauteur de 50 %.

Publié dans Semi-conducteurs
18 octobre 2019
17 octobre 2019
16 octobre 2019
15 octobre 2019
14 octobre 2019

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