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La société introduit de nouveaux Mosfet CoolSiC de 650 V dans des boîtiers TO-247 à 3 ou 4 broches.

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La carte d’évaluation EVAL-M5-E1B1245N-SiC d’Infineon a pour vocation d’accompagner les clients dans leurs premières étapes de conception d'applications de commande des moteurs industriels d'une puissance maximale de 7,5 kW.

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Les derniers Mosfet SiC de 650V et 1200V du japonais sont proposés dans un boîtier TO-247-4L à 4 broches. Par rapport à un TO-247N à 3 broches, une réduction jusqu'à 35% des pertes de commutation est envisageable.

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Le modèle UF3C120150K4S de 1200V est crédité d'une résistance à l'état passant de 150 mOhms, en valeur typique.

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Au nombre de sept, ces transistors des séries UJ3C et UF3C sont proposés dans des boîtiers D2PAK-3L et TO220-3L.

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La société annonce la mise en production de 35 Mosfet 700V et diodes Schottky 700V/1200V en carbure de silicium.

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Proposés sous la forme de puces nues de dimensions réduites, ces transistors en carbure de silicium seront encapsulés dans le même boîtier que le circuit contrôleur et le Mosfet silicium basse tension requis par la structure cascode.

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La série SCT3xxxxxxxHR de dix Mosfet en carbure de silicium qualifiés AEC-Q101 est destinée aux convertisseurs DC-DC et aux chargeurs embarqués dans les véhicules électriques.

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Le SIC1182K de la famille " Scale-iDriver" de Power Integrations conviendra aux conceptions d'onduleurs dont la puissance est de plusieurs centaines de kilowatts.

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La société complète ainsi son portefeuille de produits SiC, qui comprend déjà des diodes Schottky de 1200V et des Mosfet.

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Composants
Barrette de diode laser pulsée de haute puissance Adaptées pour des conditions d’utilisation critiques grâce à leur dissipation thermique et une [...]
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