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La société complète ainsi son portefeuille de produits SiC, qui comprend déjà des diodes Schottky de 1200V et des Mosfet.

Publié dans Semi-conducteurs

Les nouveaux modules Mosfet 1200V de la famille CoolSiC de l'allemand ciblent essentiellement les marchés des alimentations UPS et du stockage de l'énergie.

Publié dans Semi-conducteurs

Cree et STMicroelectronics annoncent un accord pluriannuel portant sur la fourniture de tranches en carbure de silicium qui a pour objectif d'accélérer le développement commercial du SiC dans les applications automobiles et industrielles.

Publié dans Vie des entreprises

L'américain annonce une série de cinq modules Mosfet en SiC dans un boîtier SP6LI, dont l'inductance parasite est de 2,9nH seulement.

Publié dans Semi-conducteurs

Le C3M0075120K est pour l'heure proposé dans un boîtier TO-247 à quatre terminaisons. Une version en boîtier CMS est également prévue.

Publié dans Semi-conducteurs

Le Mosfet canal N en boîtier céramique de TT Electronics supporte une température maximale de jonction de +225°C.

Publié dans Semi-conducteurs

Le dernier module du japonais, avec Mosfet et diodes Schottky en SiC, est un modèle de 1200V/300A destiné aux applications de forte puissance.

Publié dans Semi-conducteurs

La résistance à l’état passant de ce Mosfet de puissance canal N référencé SCT20N120 est typiquement de 215 mOhms.

Publié dans Semi-conducteurs

Ce module combine un IEGT et une diode à recouvrement rapide en carbure de silicium. Le choix d’un tel matériau se traduit par des pertes moindres.

Publié dans Semi-conducteurs

Dans une configuration bras de pont, ces modules hybrides de 1200V incluent des IGBT accouplés à des diodes Schottky en carbure de silicium.

Publié dans Energie
8 juillet 2020
7 juillet 2020
6 juillet 2020
5 juillet 2020
3 juillet 2020
2 juillet 2020

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