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Logé dans un petit boîtier SO6 à 4 broches, le TLP176AM de Toshiba est caractérisé par une tension d'isolement de 3750Veff.

Publié dans Semi-conducteurs

Le TLP5832 de Toshiba est encapsulé dans un boîtier SO8L dont l’épaisseur est environ de 54% inférieure à celle des formats SDIP6 ou DIP8.

Publié dans Semi-conducteurs
jeudi, 05 avril 2018 08:57

Toshiba compacte le LDO de 1,5A

Les régulateurs de tension de la série TCR15AG sont encapsulés dans un boîtier WCSP6F, dont les dimensions sont de seulement 1,2x0,8x0,3mm.

Publié dans Energie

Les dix premiers acteurs en termes de dépenses de R&D ont consacré 35,9 milliards de dollars en 2017 à ce poste de dépenses.

Publié dans Conjoncture

Tirant profit du procédé U-MOS IX-H de la société, les TPH3R70APL et TPN1200APL affichent des valeurs de résistance à l'état passant de seulement 3,7 et 11,5 milliOhms, respectivement.

Publié dans Semi-conducteurs

Le TCB001FNG en boîtier CMS offre quatre canaux délivrant chacun 45W, sous une charge de 4 Ohms et avec une tension d'alimentation de 15,2V.

Publié dans Semi-conducteurs

Le japonais développe une mémoire flash Nand à empilement embarquant 512 Gbits répartis sur 96 couches, pour une densité inégalée.

Publié dans Semi-conducteurs

Le japonais propose une plateforme de développement Bluetooth LE 4.2 complète embarquée dans une clé USB.

Publié dans Embarqué
mercredi, 31 janvier 2018 09:15

Les puces Bluetooth de Toshiba passent au 5.0

Le japonais lance deux circuits d'émission-réception supportant la norme Bluetooth 5.0.

Publié dans Semi-conducteurs

Les LDO de 300mA de la série TCR3UG de Toshiba sont proposés dans un boîtier de 0,645mm de côté, dont l'épaisseur est inférieure à 0,33mm.

Publié dans Energie
29 mai 2020
28 mai 2020
27 mai 2020
26 mai 2020
25 mai 2020
24 mai 2020
20 mai 2020

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