Above IC

Le 12/07/2021 à 13:20 par La Rédaction

Dans ce procédé d’intégration de composants passifs sur silicium, le circuit intégré est recouvert d’une couche épaisse de diélectrique à faible permittivité, d’une couche métallique dans laquelle est réalisée l’inductance et d’une couche de passivation. Ce procédé est également adapté à l’intégration de résistances et de condensateurs.