Premières flash NAND MLC à 3 bits par cellule

Le 01/12/2009 à 15:00 par Philippe Schwartz

Ces mémoires sont fabriquées en technologie 30nm par Samsung.

Samsung Electronics vient d’introduire ce qu’il considère comme la première mémoire flash NAND à architecture MLC permettant de stocker 3 bits par cellule mémoire. Cette flash NAND est aussi la première à être produite en volume en technologie 30nm.

Ces mémoires de 32 Gbits seront associées à des contrôleurs ad hoc dans des cartes SD d’une capacité de 8Go.

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