Infineon cède son activité puissance RF à l’américain Cree

Le 06/03/2018 à 15:27 par Philippe Dumoulin

Cette acquisition va notamment permettre à Wolfspeed, la filiale de Cree, de renforcer sa position dans le domaine des technologies RF GaN sur SiC. Le montant de la transaction s’élève à 345 millions d’euros environ.

Alors que l’acquisition de Wolfspeed, la filiale de Cree, par Infineon, fut un jour d’actualité, c’est finalement un autre scénario qui se dessine aujourd’hui. L’allemand vient en effet de céder son activité puissance RF à l’américain. Le montant de la transaction s’élève à quelque 345 millions d’euros. «Cette acquisition renforce la position de leader de Wolfspeed dans le domaine des technologies RF GaN sur carbure de silicium, tout en lui donnant accès à d’autres marchés et clients, ainsi qu’à une expertise reconnue en encapsulation» s’est félicité Gregg Lowe, le CEO de Cree. 

L’accord inclut notamment la cession de l’usine de Morgan Hill (Californie) où sont réalisés l’encapsulation et le test des transistors LDMOS et GaN/SiC. Au total,sont concernés  260 employés répartis aux Etats-Unis (à Morgan Hill, mais aussi à Chandler en Arizona), en Finlande, Suède, Chine et Corée du Sud. Enfin, un volet stipule la fourniture à long terme de wafers LDMOS et de composants connexes par Infineon et son usine de Ratisbonne. Des service d’assemblage et de test seront également assurés via son unité de Malacca (Malaisie). Un échange de bons procédés, si l’on considère que Cree s’est récemment engagé à fournir à Infineon des tranches SiC de 150 mm, afin de servir les marchés en pleine croissance des onduleurs photovoltaïques et de l’électromobilité, notamment.

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