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Exagan, le spécialiste des semi-conducteurs en GaN, s'implante à Taïwan

Rédigé par  lundi, 29 octobre 2018 11:10
Exagan, le spécialiste des semi-conducteurs en GaN, s'implante à Taïwan

La jeune pousse grenobloise a créé une filiale et ouvert un centre en charge des ventes et des applications à Taipei afin d'accélérer l'adoption de sa technologie GaN sur silicium dans les secteurs en pleine croissance des chargeurs et des serveurs.

Exagan, le spécialiste des semi-conducteurs à base de nitrure de gallium pour la conversion d'énergie, a créé une filiale (Exagan Taiwan Ltd.) et ouvert un centre en charge des ventes et des applications à Taïwan. Sis au Nankang Software Park de Taipei, ce centre a été officiellement inauguré le 18 octobre dernier, en présence de Frédéric Dupont, président et CEO d'Exagan, de Fabrice Letertre, son COO et de Ralf Kilguss, son directeur des ventes pour la région Asie. "Grâce à ce nouveau centre d'applications, nos experts seront en mesure de travailler en étroite collaboration avec les clients locaux pour évaluer et concevoir des solutions à base de GaN, tout en accélérant l'adoption de la technologie dans les secteurs en pleine croissance des chargeurs et des serveurs, qui sont portés par un marché asiatique très dynamique" a déclaré Frédéric Dupont.

Créée en 2014, la jeune pousse grenobloise (qui dispose par ailleurs d'un centre d'excellence à Toulouse) a développé un procédé GaN sur silicium original, dit G-Stack, fruit de dix années de recherche au sein de Soitec et du CEA-Leti. Cette technologie rend possible la production de puces GaN sur des tranches de silicium de grand diamètre (soit 200 mm, au lieu de 100 ou 150 mm), en évitant les aléas liés à une coexistence difficile entre les deux matériaux (sommairement, le stress induit lors des phases de refroidissement, du fait de coefficients thermiques différents, est ici absorbé par la présence d'une couche tampon). Ce qui se révèle avantageux au niveau du cout.

Cette année, lors du salon PCIM de Nuremberg, Exagan a présenté les G-Drive, qui associent dans le même boîtier un transistor en GaN et son pilote de grille en silicium. Des produits qui s'ajoutent aux G-Fet (des interrupteurs en configuration cascode garantissant un comportement normalement ouvert ou "normally off"), essentiellement destinés aux chargeurs de batterie compatibles USB PD (Power Delivery) pour ordinateurs portables, tablettes et smartphones.

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