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La carte d’évaluation EVAL-M5-E1B1245N-SiC d’Infineon a pour vocation d’accompagner les clients dans leurs premières étapes de conception d'applications de commande des moteurs industriels d'une puissance maximale de 7,5 kW.

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Les derniers Mosfet SiC de 650V et 1200V du japonais sont proposés dans un boîtier TO-247-4L à 4 broches. Par rapport à un TO-247N à 3 broches, une réduction jusqu'à 35% des pertes de commutation est envisageable.

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SK Siltron est un fournisseur coréen de tranches de silicium.

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Le carbure de silicium (SiC) offre des perspectives prometteuses pour les applications de mobilité intelligente et durable. Le haut rendement énergétique, les performances thermiques, la fiabilité et les dimensions réduites des composants en SiC contribueront à rendre les véhicules électriques encore plus attractifs, estime ST.

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L'américain ajoute deux références à sa famille UF3C Fast. Le boîtier TO220-3L à trois broches présente des caractéristiques thermiques améliorées.

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Le modèle UF3C120150K4S de 1200V est crédité d'une résistance à l'état passant de 150 mOhms, en valeur typique.

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Au nombre de sept, ces transistors des séries UJ3C et UF3C sont proposés dans des boîtiers D2PAK-3L et TO220-3L.

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Cette carte, convenant aux modules de puissance de 1200V/1700V, fait appel à un chipset Hades de la société pour la commande de grille des Mosfet.

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L'allemand propose désormais des diodes Schottky CoolSiC 1200V de cinquième génération en boîtier TO-247-2, offrant une distance d'isolement de 8,7mm.

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Pour ce faire, l'américain compte investir jusqu'à 1 milliard de dollars dans la filière SiC sur une période de cinq ans.

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