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Le modèle UF3C120150K4S de 1200V est crédité d'une résistance à l'état passant de 150 mOhms, en valeur typique.

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Au nombre de sept, ces transistors des séries UJ3C et UF3C sont proposés dans des boîtiers D2PAK-3L et TO220-3L.

Publié dans Semi-conducteurs

Cette carte, convenant aux modules de puissance de 1200V/1700V, fait appel à un chipset Hades de la société pour la commande de grille des Mosfet.

Publié dans Semi-conducteurs

L'allemand propose désormais des diodes Schottky CoolSiC 1200V de cinquième génération en boîtier TO-247-2, offrant une distance d'isolement de 8,7mm.

Publié dans Semi-conducteurs

Pour ce faire, l'américain compte investir jusqu'à 1 milliard de dollars dans la filière SiC sur une période de cinq ans.

Publié dans Vie des entreprises

La société annonce la mise en production de 35 Mosfet 700V et diodes Schottky 700V/1200V en carbure de silicium.

Publié dans Semi-conducteurs

Proposés sous la forme de puces nues de dimensions réduites, ces transistors en carbure de silicium seront encapsulés dans le même boîtier que le circuit contrôleur et le Mosfet silicium basse tension requis par la structure cascode.

Publié dans Energie

La série SCT3xxxxxxxHR de dix Mosfet en carbure de silicium qualifiés AEC-Q101 est destinée aux convertisseurs DC-DC et aux chargeurs embarqués dans les véhicules électriques.

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Le SIC1182K de la famille " Scale-iDriver" de Power Integrations conviendra aux conceptions d'onduleurs dont la puissance est de plusieurs centaines de kilowatts.

Publié dans Semi-conducteurs

Les diodes haute tension C5D de l'américain sont destinées aux systèmes de charge des véhicules électriques, aux alimentations à découpage, aux onduleurs solaires et éoliens.

Publié dans Semi-conducteurs
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