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lundi, 15 juin 2020 07:13

Le GaN progresse chez Nexperia

Le néerlandais réduit l'encombrement et la résistance de ses transistors Fet en nitrure de gallium. 

Publié dans Energie

Ces transistors Mosfet miniatures à canal N ou P disposent d'une faible résistance à l'état passant et visent les appareils nomades. 

Publié dans Semi-conducteurs

Racheté par le fabricant chinois de smartphones Wingtech, le néerlandais Nexperia, ex-filiale Circuits standards et discrets de Philips, est désormais dirigée par Xuezheng Zhang.

Publié dans Décideurs

Le dernier Mosfet 25 V de la société offre une résistance à l’état passant de seulement 0,57 mOhm. Soit la valeur la valeur la plus basse obtenue par la société pour ses Mosfet NextPowerS3.

Publié dans Semi-conducteurs

La société a dévoilé le GAN063-650WSA, son premier transistor Fet de 650V à base de nitrure de gallium pour les marchés automobile et industriel, ainsi que pour les infrastructures télécoms.

Publié dans Semi-conducteurs

Au nombre de huit, les transistors de la série MJD sont des modèles de 3A ou 8A en boîtier DPAK, tous qualifiés AEC-Q101.

Publié dans Semi-conducteurs
vendredi, 06 septembre 2019 08:10

Nexperia restructure sa dette

Le fabricant de composants discrets et de circuits intégrés emprunte 1,5 milliard de dollars, dont une partie servirait à financer son rachat par le chinois Wingtech.

Publié dans Vie des entreprises

Les diodes de commutation et les transistors NPN et PNP spécifiés jusqu'à +175°C sont qualifiés AEC-Q101 pour l'environnement automobile.

Publié dans Semi-conducteurs

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Aptes à fournir 250 mA, les huit éléments formant les séries NCR32xx et NCR42xx sont proposés en boîtiers SOT457 (SC-74) et SOT223 (SC-73).

Publié dans Semi-conducteurs

La très faible RDS(on) des Mosfet NextPowerS3 en boîtiers LFPAK56 et LFPAK33 est obtenue sans compromis sur les paramètres essentiels que sont le courant maximal de drain, l'aire de sécurité et la charge de grille.

Publié dans Semi-conducteurs
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