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Terme Définition
IEGT

Injection Enhancement Gate Transistors. Développé par Toshiba, ce commutateur semiconducteur de forte puissance mixte entre l’IGBT et le GTO, est destiné aux applications de forte puissance avec des tenues en tension de plusieurs kV et en courant de plusieurs centaines d’ampères. Par rapport à l’IGBT, il est caractérisé selon la société par une aire de sécurité et une tenue en court-circuit beaucoup plus grande.

Glossary 2.8 uses technologies including PHP and SQL

Test et mesure
Banc de mesure de prototypes d    Le banc de mesure d’antenne Ellipitka modèle MES01_0000_1800 permet la caractérisation rapide [...]
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