Rohm booste les performances de ses Mosfet en carbure de silicium

Le 31/10/2019 à 0:00 par Philippe Dumoulin
Les derniers Mosfet SiC de 650V et 1200V du japonais sont proposés dans un boîtier TO-247-4L à quatre broches. Par rapport à un TO-247N à trois broches, une réduction jusqu’à 35% des pertes de commutation est envisageable. R ohm annonce la disponibilité de six Mosfet en carbure de silicium, avec une structure de grille en…
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