Ces mémoires Sram d’une capacité de 4 Mbits consomment moins de 2 µA en veille.
• Technologie Cmos 110 nm
RMLV0416E, RMLV0414E et RMLV0408EAMD
Renesas Electronics
Ces mémoires Sram d’une capacité de 4 Mbits consomment moins de 2 µA en veille.
• Technologie Cmos 110 nm
RMLV0416E, RMLV0414E et RMLV0408EAMD
Renesas Electronics