Ces mémoires SRam basse consommation fabriquées en technologie 110nm offrent une capacité de 8 Mbits.
• Consommation: 2µA à 25°C en veille
• Temps d’accès: 45 à 55ns
Réf. RMLV0816BG
Fab. Renesas Electronics
Rens. www.renesas.eu
Ces mémoires SRam basse consommation fabriquées en technologie 110nm offrent une capacité de 8 Mbits.
• Consommation: 2µA à 25°C en veille
• Temps d’accès: 45 à 55ns
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Fab. Renesas Electronics
Rens. www.renesas.eu
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