Anvo-Systems Dresden est un spécialiste allemand des mémoires non volatiles.

Le fournisseur américain de mémoires en fin de vie assurera la disponibilité de ces Sram dont Cypress a cessé la commercialisation.

Les investissements en fabrication de mémoires Dram et Sram devraient progresser de 53% en 2017 par rapport à 2016. Et une hausse de 33% est prévue pour les investissements en mémoires flash, selon IC Insights.

L'américain lance des mémoires Sram de 8 et 16 Mbits à faible consommation dans des boîtier BGA miniatures.

L'américain lance une Sram de 8 Mbits ne consommant que 30 mA sous 2,7 V à 3,6V.

Fonctionnant à partir d'une tension d'entrée comprise entre 3,3V et 15V, le LTM4632 de Linear Technology se contente de 0,5cm² sur une carte de circuit imprimé double face, composants passifs inclus.

Samsung a développé une cellule Sram mesurant seulement 0,04 µm² en technologie FinFET 10 nm.

Très utilisées dans les systèmes industriels, les infrastructures urbaines ou encore les équipements financiers où la fiabilité constitue le maître-mot, les SRam sont également source d'innovation. La prévention des erreurs dites "soft", souvent causées par l’effet de rayonnements externes, peut y être assurée par l’ajout de codes de correction d’erreurs ou ECC ("Error Correcting Code"), mais cette méthode a ses limites, par exemple lorsque des erreurs simultanées affectent plusieurs bits de données.

C’est pour résoudre ces problèmes que Renesas Electronics a développé une technologie spécifique de mémoires SRam à basse consommation, baptisées Advanced LP SRam. Ces dernières présenteraient une résistance aux erreurs soft 500 fois supérieure aux mémoires SRam traditionnelles.

Fabriquées en technologie Cmos 110nm, elles sont en cours d’échantillonnage en version 16Mbits (RMLV1616A) et 32 Mbits (RMWV3216A), des modèles 4 et 8Mbits étant d’ores et déjà disponibles.

A découvrir dans le numéro de septembre de notre magazine "ElectroniqueS".

L'américain étend sa gamme de mémoires SRam synchrones à correction d'erreurs.