Le convertisseur photovoltaïque tire parti du SiC

Le 16/10/2009 à 12:05 par Jean -François Desclaux

Rohm vient de dévoiler un module de conversion d’énergie pour système photovoltaïque dont la taille est fortement réduite grâce au carbure de silicium.

Le fabricant japonais Rohm vient de dévoiler un module de puissance basé sur des transistors et des diodes schottky en carbure de silicium. Ce module annoncé pour pouvoir fonctionner à une température de 250°C contre seulement 150°C pour un modèle silicium et pour des fréquences de découpage atteignant 100kHz contre typiquement 10kHz permettrait, selon la société, de réduire l’encombrement de la fonction de 90%.

Ce module consiste en quatre transistors Dmos SiC et deux diodes schottky spécifiés pour une puissance totale de 16kW. Il est destiné à la réalisation de convertisseurs de puissance à très haut rendement et faible encombrement pour les applications photovoltaïques.

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