Electroniques.biz

Le SiC améliore les transistors 1200 V de Toshiba

Rédigé par  mercredi, 21 octobre 2020 10:14
Le SiC améliore les transistors 1200 V de Toshiba

Le japonais lève le voile sur un Mosfet 1200 V en carbure de silicium bien plus rapide et frugal que les modèles silicium. 

Baptisé TW070J120B, le dernier Mosfet 1200V de Toshiba Electronics bénéficie d'un technologie SiC pour réduire de 80% les pertes en commutation et de 70% le temps de commutation à la coupure par rapport à un IGBT silicium équivalent. Ce Mosfet en carbure de silicium trouvera sa place dans les alimentations AC-DC 400V, les onduleurs photovoltaïques ou encore les convertisseurs DC-DC pour alimentations sans coupure. Il présente une capacité d'entrée de 1680pF, une charge d'entrée de grille de 67nC et une résistance à l'état passant de 70mOhms, pour une tension de déclenchement de grille comprise entre 4,2V et 5,8V. 

30 novembre 2020
27 novembre 2020
26 novembre 2020
25 novembre 2020
24 novembre 2020

Composants
Antennes Cornets en Impression 3D Elliptika Propose une gamme d'antennes cornets en impression 3D de la bande S à la bande Ka permettant [...]
Pour communiquer sur vos produits,
n.heurlin@electroniques.biz - 02.98.27.79.99
Pour toute question, merci de nous contacter
01/12/2020 - 03/12/2020
Aeromart
10/01/2021 - 15/01/2021
European Microwave Week