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IGBT 650V et diodes Schottky SiC associés dans un boîtier

Rédigé par  dimanche, 07 février 2021 19:28
IGBT 650V et diodes Schottky SiC associés dans un boîtier

Infineon combine un transistor IGBT 650V et des diodes Schottky en carbure de silicium dans des composants à rendement élevé convenant à la conversion de puissance DC-DC et à la correction de facteur de puissance. 

Infineon Technologies a marié un transistor IGBT 650V et des diodes Schottky en carbure de silicium dans des modules hybrides destinés à la conversion d'énergie DC-DC et à la correction de facteur de puissance. Cette association réduit les pertes en découpage sans impacter les valeurs dV/dt et dI/dt, estime l'allemand.

Les IGBT CoolSiC Hybrid 650V peuvent remplacer les IGBT TRENCHSTOP 5 du fabricant en offrant un rendement amélioré de 0,1% par tranche de 10kHz de fréquence de découpage. Ils sont disponibles en boîtier TO-247-3 ou TO-247-4, avec des tenues en courant atteignant 40A, 50A ou encore 75A selon les modèles. 

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