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Samsung annonce des gains de 11 % en vitesse et de 39 % en consommation par rapport aux précédents modules 16 Go grâce à la technologie 10 nm.

Publié dans Semi-conducteurs

Le sud-coréen utilisera la lithographie EUV pour son nouveau process FINFET 7 nm d'ici la fin de l'année, et anticipe l'adoption d'une architecture gate all around en 3 nm sous trois à quatre ans.

Publié dans Semi-conducteurs

Le sud-coréen lance un imageurs Cmos à seize millions de pixels disponible tel quel ou serti dans un module comprenant l'optique et le processeur d'images.

Publié dans Capteurs

Le fabricant sud-coréen initie la production en volume de mémoires LPDDR4X de 16 Gbit en technologie 10 nm fonctionnant entre -40 °C et 125 °C.

Publié dans Semi-conducteurs

Le sud-coréen échantillonne l'Exynos 9610, qui offre un gain significatif en performances multimédias via notamment l'ajout d'un accélérateur de réseaux neuronaux.

Publié dans Semi-conducteurs

Suivant l'exemple de Sony, le sud-coréen empile une mémoire Dram entre le capteur et le circuit de traitement du signal de ses derniers imageurs pour smartphones.

Publié dans Capteurs

La semaine dernière a été marquée par le coup d'envoi de la construction de l'IoT Valley près de Toulouse. La première tranche du projet immobilier porte sur la construction, à Labège en banlieue de Toulouse, de 27000 m² de programme (sur un total de 85000 m²).

A retenir également l'acquisition de Microsemi par Microchip pour 8,35 milliards de dollars, le début des expérimentations de la 5G dans neuf villes en France et la très faible progression du marché français des semi-conducteurs en 2017 (seulement 1% alors que dans le même temps, le marché mondial faisait un bon de plus de 20%).

L'actualité du côté des entreprises a aussi été marquée par l'investissement de Samsung à hauteur de 6 milliards de dollars pour passer à la technologie 7 nm ainsi que la cession par Technicolor de ses activités de licences de brevets à InterDigital.

Publié dans Editos

Le fabricant compte utiliser cette technologie avec son procédé de gravure Low Power Plus (LPP) de 7 nm au cours de la seconde moitié de 2018.

Publié dans Vie des entreprises

Les dix premiers acteurs en termes de dépenses de R&D ont consacré 35,9 milliards de dollars en 2017 à ce poste de dépenses.

Publié dans Conjoncture

Samsung lance la production en volume d'une mémoire eUFS de 256 Go destinée au marché automobile et fonctionnant entre -40 °C et 105 °C, y compris en mode veille.

Publié dans Semi-conducteurs
26 novembre 2020
25 novembre 2020
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23 novembre 2020

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