L’amplificateur de puissance 4G bon pour le silicium

Le 12/10/2009 à 14:01 par Jean -François Desclaux

Une jeune pousse d’entreprise américaine vient de présenter un amplificateur de puissance 4G en silicium.

La jeune pousse d’entreprise VT silicon, créée en 2002 et centrée, les cinq premières années, sur le développement d’applications militaires vient de présenter après 30 mois de développement sur fonds privés un amplificateur de puissance silicium germanium pour applications 4G.

Cet amplificateur dont les performances seraient similaires à celles de ses homologues en arséniure de gallium est une première brique pour la réalisation d’un circuit frontal intégré pour les communications Wimax et LTE. Le premier circuit, référencé VFM2500, sera disponible en échantillon au premier trimestre 2010 avec une production de volume prévue pour le quatrième trimestre 2010.

Ce circuit couvre la bande de 2,5GHz à 2,7GHz avec l’amplificateur de puissance, l’amplificateur faible bruit, le commutateur émission réception, le filtrage, les transformateurs d’impédances et un système assurant la gestion de plusieurs antennes avec contrôle automatique du gain.

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