Un transistor RF large bande de 150 W signé Macom

Le 10/02/2014 à 9:26 par Philippe Dumoulin

Réalisé en GaN sur SiC, le MAGX-000025-150000 est typiquement conçu pour les applications de puissance en mode pulsé jusqu’à 2,5 GHz.

Pour les applications RF en mode pulsé, Macom (M/A-Com Technology Solutions) introduit un transistor de puissance en structure HEMT (High Electron Mobility Transistor) bénéficiant d’une technologie nitrure de gallium sur substrat en carbure de silicium. Référencé MAGX-000025-150000, le nouveau venu est un modèle large bande (1 à 2500 MHz ) délivrant 150 W, avec un gain de 16 dB et un rendement de 58 % entre 1,2 et 1,4 GHz.

Proposé dans un boîtier de type Gemini, ce transistor non adapté peut être configuré en mode push-pull, pour les applications large bande et à faible distorsion ou en mode asymétrique pour un facteur de forme réduit. Son MTTF (Mean Time to Failure, temps moyen de bon fonctionnement) est donné pour 600 ans, pour une température de jonction inférieure à 200°C.

Copy link
Powered by Social Snap