Macom complète son catalogue de transistors GaN en boîtiers plastique

Le 11/03/2014 à 8:57 par Philippe Dumoulin

Développant une puissance de 10 W, le dernier transistor large bande de la société cible les radars civils ou militaires et les applications de communication.

Macom complète sa famille de transistors GaN sur SiC en boîtiers plastique avec un modèle de 10 W destiné aux radars civils et militaires, ainsi qu’aux systèmes de communication.

Référencé MAGX-000035-01000P, ce transistor RF non adapté convient aux applications large bande, en mode pulsé ou non. Il fonctionne ainsi entre 0 et 3,5 GHz, à partir d’une tension de drain de 50 V. Il offre un gain de 10 dB et son en rendement en puissance ajoutée est de 58 % à 1 GHz.

Proposé dans un format DFN miniature (3×6 mm), ce transistor trouvera son juste emploi dans un étage de puissance final ou de préamplification.

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