Le transistor de puissance en GaN compacte les amplificateurs large bande

Le 03/12/2014 à 9:27 par Philippe Dumoulin

Réalisé selon une technologie GaN sur SiC, le transistor de 125W de Freescale permet le remplacement de plusieurs amplificateurs de puissance par un seul large bande.

Avec le MMRF5014H, Freescale Semiconductor introduit un transistor de puissance développant 125W en onde entretenue (CW, Continuous Wave). Pour ce faire, le nouveau venu tire profit d’une technologie nitrure de gallium sur substrat en carbure de silicium (GaN/SiC).

Implanté sur une carte de référence de 100W CW, le MMRF5014H a permis d’obtenir un gain supérieur à 12dB dans la bande de fréquence 200 à 2500MHz. Conçu pour délivrer un rendement de 58%, ce transistor affiche également d’excellentes performances thermiques (résistance thermique inférieure à 1°C/W) et une grande robustesse, dans la mesure où il supporte des taux de désadaptation d’impédance de 20 :1.

Le MMRF5014H trouvera son juste emploi dans les amplificateurs large bande mis en oeuvre dans les équipements scientifique et les systèmes de communication militaires pour le secteur de la défense (brouilleurs, radars, guerre électronique). Lorsqu’une large couverture de fréquence est demandée, il permettra de remplacer plusieurs amplificateurs par un seul.

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