Macom lève le voile sur sa technologie GaN de quatrième génération

Le 29/05/2015 à 7:03 par Philippe Dumoulin

La technologie GaN sur silicium de prochaine génération de l’américain permettrait d’obtenir des performances équivalentes, en termes de rendement et de gain, à celles obtenues avec du GaN sur SiC, les faibles coûts de production en volume en prime.

Lors de la manifestation IMS 2015 (International Microwave Symposium), qui s’est tenue ce mois à Phoenix (Arizona), Macom (M/A-Com Technology Solutions) a dévoilé les grandes lignes de la quatrième génération (Gen4) de sa technologie nitrure de gallium sur substrat silicium.

Les performances sont annoncées équivalentes à celles obtenues avec du GaN sur carbure de silicium (SiC), avec des coûts de production en volume inférieurs à ceux de la technologie LDMOS actuelle. De fait, les dernières barrières s’opposant à une large diffusion des produits en GaN seront levées estime la société.

L’américain fait état de transistors de puissance RF affichant un rendement supérieur à 70% et un gain de 19dB à 2,7GHz. Des valeurs comparables à celles obtenues avec du GaN sur SiC. Par rapport aux LDMOS, le rendement serait supérieur de 10 points et la densité de puissance plus de quatre fois supérieure.

«Notre technologie Gen4 va dégager le plein potentiel du GaN pour les applications commerciales grand public. Nous prévoyons que son influence va transformer le secteur de la RF et des hyperfréquences», commente John Croteau (photo), le pdg de Macom.

La production de masse des premiers produits GaN Gen4 est prévu en 2016. Des échantillons sont actuellement à la disposition des clients de la société.

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