Le Mosfet en SiC monte en tension

Le 11/10/2016 à 13:02 par Philippe Dumoulin

Avec sa tension de blocage de 1000V, le C3M0065100K de Wolfspeed cible les systèmes de recharge pour les véhicules électriques et les alimentations triphasées industrielles.

Wolfspeed introduit le premier Mosfet de puissance en carbure de silicium crédité d’une tension de blocage de 1000V. Optimisé pour les systèmes de recharge dédiés aux véhicules électriques et les alimentations triphasées pour le secteur industriel, ce transistor référencé C3M0065100K conjugue une résistance à l’état passant de 65mOhms, une capacité de sortie très basse (60pF) et une faible inductance de source. Ce qui contribue à limiter les pertes, tant en conduction qu’en commutation. A 100°C, le courant nominal est de 22,5A.

Ce Mosfet est disponible dans un boîtier 4L-TO247. D’ici peu, la société devrait annoncer un second transistor de 1000V en SiC, le C3M0120100K (120 Ohms), puis des versions (C3M0065100J et C3M0120100J) en boîtier CMS.

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