Toshiba améliore ses IGBT pour l’électroménager à induction

Le 30/04/2020 à 8:43 par Frédéric Rémond

Le dernier transistor IGBT du japonais améliore le rendement et la flexibilité des appareils de cuisson basés sur la résonnance. 

Le petit électroménager fonctionnant sur le principe de l’induction (plaques de cuisson, fours à micro-ondes, cuiseurs à riz…) constitue la principale application du GT20N135SRA, un transistor IGBT 1350V offrant une tension de saturation collecteur-émetteur de 1,6V et une tension directe de diode de 1,75V, respectivement 10% et 21% inférieures à celles des composants équivalents selon le japonais. Cet IGBT présente également un courant de court-circuit crête de 129A et gère un courant de collecteur maximal de 40A, et 20A à 100°C. 

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