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Le sud-coréen a l'intention de multiplier les mémoires flash Nand à quatre bits par cellule, jusqu'à proposer des solutions eSSD complètes de 16 To.

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Le japonais développe une mémoire flash Nand à empilement embarquant 512 Gbits répartis sur 96 couches, pour une densité inégalée.

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Le japonais lance une mémoire flash Nand SLC 24 nm d'une capacité de 16 Gbits.

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Le japonais utilise des liaisons traversantes au lieu des classiques fils de liaison.

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Toshiba et le couple Intel/Micron échantillonnent à leur tour des mémoires flash Nand à 32 ou 48 couches.

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Ces mémoires embarquées supportent les nouvelles fonctions de la norme eMMC 5.1.

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mercredi, 12 novembre 2014 07:07

Mémoires Nand : Spansion vise l'industriel

L'américain lance une gamme de mémoires Nand à contrôleur intégré supportant des températures allant de -40°C à +85°C.

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Toshiba échantillonne des modules de mémoires flash Nand de 32 et 64 Go conformes à la norme JEDEC UFS v2.0 et offrant une vitesse de 650 Mo/s en lecture et de 180 Mo/s en écriture. 

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Le japonais démarre la production en volume de mémoires flash Nand 30 % plus rapides que les modèles actuels en 19 nm.

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Le japonais lance des modules 16 et 32 Go embarquant un contrôleur et ses dernières puces flash Nand.

 

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